hth华体会登录平台:粤芯半导体请求薄膜电阻制备办法专利有用改进薄膜电阻的均匀性

来源:hth华体会登录平台    发布时间:2026-04-17 04:21:55
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  国家知识产权局信息数据显现,粤芯半导体技能股份有限公司请求一项名为“一种薄膜电阻的制备办法、设备、电子设备及存储介质”的专利,公开号CN121843227A,请求日期为2026年3月。

  专利摘要显现,本请求供给了一种薄膜电阻的制备办法、设备、电子设备及存储介质,包含:对已完结铜互连工艺的晶圆进行化学机械抛光;对经过化学机械抛光的晶圆进行介电资料层堆积,构成介电资料层;在介电资料层上加工构成防形变介质层;在防形变介质层上进行薄膜电阻加工,构成薄膜电阻。经过在制备薄膜电阻之前在晶圆外表加工一防形变介质层,添补化学机械抛光构成的洼陷和凸起,防止后续薄膜电阻产生变形,有用的改进薄膜电阻的均匀性。

  天眼查资料显现,粤芯半导体技能股份有限公司,成立于2017年,坐落广州市,是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本236559.1397万人民币。经过天眼查大数据分析,粤芯半导体技能股份有限公司共对外出资了3家企业,参加招投标项目130次,产业线条,此外企业还具有行政许可129个。

  声明:商场有危险,出资需谨慎。本文为AI根据第三方数据生成,仅供参考,不构成个人出资主张。